РИД
№ АААА-Г20-620082490012-6Устройство для травления полупроводниковых структур
24.08.2020
Задача изобретения заключается в создании устройства для травления полупроводниковых структур в высокоплотной плазме индукционно связанного разряда. Технический результат изобретения заключается в повышении степени ионизации компонентов газовой смеси за счет вихревого движения по спирали потоков газа внутри колпака. При этом уменьшается расход газа и обеспечиваются условия работы при более низком рабочем давлении, что обеспечивает улучшение анизотропии травления канавок.
ГРНТИ
47.13.19 Прочие технологические процессы и оборудование в производстве радиоэлектронной аппаратуры
47.13.11 Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
травление полупроводниковых структур
селективность технологического процесса
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Изобретение относится к оборудованию для производства интегральных схем микромеханических и оптоэлектронных устройств.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"
Заказчик
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"
Похожие документы
Реактор для плазмохимического травления полупроводниковых структур
0.931
РИД
Реактор для плазмохимической обработки полупроводниковых структур
0.928
РИД
Устройство для осаждения тонких пленок из газовой фазы
0.924
РИД
Устройство для обработки диэлектрических изделий быстрыми атомами
0.917
РИД
Реактор для плазменной обработки полупроводниковых структур
0.916
РИД
Устройство СВЧ плазменной обработки
0.913
РИД
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАПЫЛЕНИЯ
0.911
РИД
Способ генерации потоков ионов твердого тела
0.909
РИД
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОВОДЯЩИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СФОКУСИРОВАННОГО МОНОХРОМАТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
0.905
РИД
Способ изготовления полупроводникового прибора
0.903
РИД