Способ изготовления полупроводникового прибора

05.10.2020

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности, качества и увеличение процента выхода годных.

ГРНТИ

29.19.31 Полупроводники

Ключевые слова

полупроводники

полевой транзистор

КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ

Детали

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей истока, стока, затвора и оксида кремния, отличающийся тем, что поверх слоя оксида кремния формируют окись алюминия из паровой фазы толщиной 50-80 нм при температуре 850°С со скоростью осаждения 12 нм/мин с последующей термообработкой при температуре 500°С в течение 5 часов в атмосфере водорода.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Способ изготовления полупроводникового прибора

0.974

РИД

Способ изготовления полупроводникового прибора

0.973