Способ изготовления полупроводникового прибора

05.10.2020

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов.

ГРНТИ

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

Ключевые слова

полевой транзистор

плотность ДЕФЕКТОВ

оксид кремния

Детали

НИОКТР

№ АААА-А17-117021310153-1

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование поверх слоя оксида кремния нелегированного поликремния со скоростью 10 нм/мин при температуре 650°С, при расходе силана 10 см3/мин и водорода 22 л/мин, толщиной 400 нм и проведением ионного внедрения азота с энергией 1215 кэВ, дозой 5*1016-2*1017 см-2 при температуре подложки 100°С, с последующей термообработкой при температуре 450°С в течение 30 мин в форминг-газе.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"

Заказчик

Министерство образования и науки Российской Федерации

Похожие документы

Способ изготовления полупроводникового прибора

0.974

РИД

Способ изготовления полупроводникового прибора

0.973