Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей стока, истока, затвора, контактов к этим областям и подзатворного оксида, отличающийся тем, что подзатворный оксид формируют при температуре 1060°С путем введения в окислительную среду трихлорэтилена по следующей схеме: сначала проводят окисление при потоке кислорода (сухой) 100 см3/мин в течение 5 мин, затем окисление при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин и введении в окислительную среду трихлорэтилена при скорости потока 40-50 см3/мин в течение 60 мин, с последующим окислением при потоке кислорода (сухой) 1000 см3/мин в течение 15 мин и термообработкой в азоте при температуре 625°С в течение 15 мин.

Исполнитель

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ