Однофотонный излучатель на основе одиночной квантовой точки

19.11.2020

Однофотонный излучатель на основе одиночной квантовой точки направлен на повышение эффективности процесса генерации одиночных фотонов. Технический результат достигается за счет использования оксидного кольца (Al,Ga)Ox, задающего токовую и оптическую апертуры и охватывающего активную область на основе слоя GaAs, содержащую одиночную квантовую точку InAs.

ГРНТИ

29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры

47.13.06 Технология и оборудование для производства приборов и устройств квантовой электроники

47.13.07 Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники

Ключевые слова

молекулярно-лучевая эпитаксия

наногетероструктуры

самоорганизация

наноструктуры

гибридные гетероструктуры

капельная эпитаксия

Детали

НИОКТР

№ АААА-А19-119070290013-1

Тип РИД

Полезная модель

Сферы применения

Однофотонный излучатель на основе одиночной квантовой точки относится к области оптоэлектроники, а конкретно к устройствам со стимулированным излучением.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Источники одиночных фотонов видимого спектрального диапазона на основе эпитаксиальных квантовых точек InAs/AlGaAs и CdSe/ZnSe

0.912

Диссертация

Излучатели одиночных фотонов на основе наноструктур с комбинированной размерностью

0.909