РИД
№ АААА-Г20-620113090025-1

Способ определения толщины и постоянной роста титаноксидного покрытия, нанесенного методом молекулярного наслаивания на торец кварцевого оптического волокна

30.11.2020

Изобретение относится к области тонкопленочных технологий и связано с разработкой экспресс-контроля в режиме «in situ» толщины и постоянной роста функциональных нанопокрытий, формируемых на торце оптического кварцевого волокна, и может быть использовано при создании волоконно-оптических датчиков давления, влажности, деформации с повышенной надежностью. Целью изобретения является определение толщины и постоянной роста синтезируемого на торце оптоволокна титаноксидного покрытия в режиме «in situ» в зависимости от количества циклов молекулярного наслаивания. Это достигается путем регистрации отраженной мощности лазерного излучения от торца оптоволокна в процессе проведения молекулярного наслаивания.
ГРНТИ
61.31.57 Неорганические сорбенты
31.15.35 Поверхностные явления. Адсорбция. Хроматография. Ионный обмен
31.15.19 Химия твердого тела
Ключевые слова
ОПТОВОЛОКОННЫЙ ДАТЧИК
МОЛЕКУЛЯРНОЕ НАСЛАИВАНИЕ
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ
ПОСТОЯННАЯ РОСТА
Детали

Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
Экспресс-контроль для регулирования в режиме in situ толщины функциональных нанопокрытий, формируемых на торце оптического кварцевого волокна при создании волоконно-оптических датчиков.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Способ определения толщины тонких пленок (2020109639)
0.880
РИД
Тонкие пленки оксидов индия, олова и титана наповерхности волоконных световодов
0.875
НИОКТР
Способ определения диэлектрической проницаемости материала тонкослойного объекта в терагерцевом диапазоне
0.873
РИД
Способ определения диэлектрической проницаемости материала тонкослойного объекта в терагерцевом диапазоне. (Регистрация заявки на изобретение № 2024120682)
0.869
РИД
Способ изготовления фазовых дифракционных микроструктур
0.868
РИД
Волоконные рефрактометры на основе тейперов покрытых тонкими плёнками халькогенидов цинка
0.863
НИОКТР
Технология изготовления микролинз методом травления под действием гидродинамического течения, индуцированного инфракрасным излучением
0.859
РИД
Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона
0.858
РИД
Способ получения тонких слоев титаната висмута
0.858
РИД
Способ формирования пленки оксинитрида титана TiON термическим окислением плазмонного материала
0.857
РИД