Способ получения p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии.

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых р-i-n структур из соединений А3B5 методами эпитаксии. Способ включает составление исходной шихты, загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое устройство, а затем в реактор. Нагрев содержимого реактора в обезвоженной атмосфере. Осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом. Последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру. Удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющего p-i-n структур, из-под расплава. В шихту добавляют, по меньшей мере, оксид галлия Ga2O3 и монокристаллический кремний Si. Техническим результатом, на достижение которого направлено предлагаемое изобретение, является разработка способа получения p-i-n структуры арсенида галлия, позволяющего выращивать указанные структуры методом ЖФЭ с высокой воспроизводимостью основных электрофизических параметров и с высоким выходом годного.