Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки. Сущность: на пластинах кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом⋅см выращивался слой термического слоя оксида 22 нм окислением в сухом кислороде при 1000°С. Далее проводили процесс азотирования затворного оксида в атмосфере аммиака NH3 в течение 15 минут при 1100°С и его оксидирование в атмосфере сухого кислорода О2 в течение 30 минут при 1100°С, затем проводили термообработку при температуре 600°С в течение 35 с в среде аргона. Области полевого транзистора и контакты к этим областям формировали по стандартной технологии. Технический результат заключается в снижении токов утечки, обеспечении технологичности, улучшении параметров приборов, повышении качества и увеличении процента выхода годных.