РИД
№ АААА-Г20-620123090025-0nBnMCT.CV. Расчет вольт-фарадной характеристики в барьерной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с n-типом проводимости
30.12.2020
Программа предназначена для расчёта зависимостей эклектической ёмкости от напряжения смещения в барьерной гетеростурктуре на основе материала CdHgTe n-типа проводимости, включающей область с повещенным составом – барьерный слой. Программа имеет визуальный пользовательский интерфейс, позволяющий задавать параметры моделируемых структур непосредственно в окне программы, исключая работу с кодом. Программа обеспечивает расчёт вольт-фарадной характеристики структуры при различных значениях её параметров и внешних условий.
ГРНТИ
47.33.33 Оптоэлектронные приборы
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
47.09.48 Наноматериалы для электроники
Ключевые слова
Наноструктура
молекулярно-лучевая эпитаксия
ионная имплантация
CdHgTe
Si
Ge
Sn
квантовая яма (КЯ)
квантовая точка (КТ)
МДП-структура
фотоприёмное устройство
дисперсионные взаимодействия
поверхностные плазмоны
электрофизические параметры
метод
Детали
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Возможные области применения программы: моделирование электрофизических характеристик гетероэпитаксиальных структур на основе CdHgTe, включающих слои с повышенным составом, с целью проектирования фотодетекторных структур среднего и дальнего инфракрасного диапазона.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
Заказчик
Министерство образования и науки Российской Федерации
Похожие документы
nBnMCT.CurrentVC. Расчет вольт-амперной характеристики в барьерной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с n-типом проводимости
0.983
РИД
Программа расчета спектров межподзонного поглощения в гетероструктуре на основе материала CdHgTe с квантовыми ямами «InterSUBbandMCTAbsQW»
0.876
РИД
Программа расчета спектров межзонного поглощения в гетероструктуре на основе материала CdHgTe с квантовыми ямами «InterbandMCTAbsQW»
0.876
РИД
Программа расчета профилей энергетических зон в варизонной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с одиночной квантовой ямой с учётом зависимости электронного сродства от координаты «AffinityMCTBandQW»
0.875
РИД
Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
0.868
РИД
ПРОГРАММА ДЛЯ ЭВМ: VACIRCrystal
0.859
РИД
Программа для расчета вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрических материалов в заданном интервале с использованием прецизионного LCR-метра Agilent Е4980А
0.858
РИД
Программа для расчета вольт-амперных характеристик мемристоров
0.858
РИД
Программа оценки физических частотных пределов работы Me/n-n+-GaAs диода Шоттки с тонкой базой
0.857
РИД
Программа для расчета параметров полевого транзистора с затвором на основе нанопроволок оксида меди и различной плотностью ловушек на поверхности затвора
0.856
РИД