РИД
№ АААА-Г21-621011890071-8Способ создания эпитаксиальных гетероструктур EuO/Si с атомно-резким интерфейсом
18.01.2021
В изобретении описан способ получения тонких пленок монокристаллического монооксида европия на кремнии без использования буферного слоя. Синтез пленок осуществляется методом молекулярно-лучевой эпитаксии в условиях сверхвысокого вакуума при низких температурах пластины кремния. Приведенные в изобретении параметры роста позволяют добиться высокого кристаллического совершенства пленок с сохранением атомно-резкой границы раздела между пленкой и кремнием. Синтезированные пленки могут быть использованы при создании спиновых фильтров, инжекторов спин-поляризованного тока и других компонентов спиновой наноэлектроники.
ГРНТИ
29.19.04 Структура твердых тел
29.19.39 Ферромагнетики
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
СПИНТРОНИКА
МОНООКСИД ЕВРОПИЯ
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
ФЕРРОМАГНЕТИЗМ
ИНТЕРФЕЙС
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Микро- и наноэлектроника, спиновая электроника
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксальной гетероструктуры EuO/Si
0.966
РИД
Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия на графене
0.963
РИД
Способ формирования эпитаксальных гетероструктур EuO/Ge
0.961
РИД
Эпитаксиальная интеграция пленок EuO с кремнием и свойства полученных гетероструктур
0.945
Диссертация
Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремнии
0.942
РИД
Способ создания материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда
0.936
РИД
Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием
0.929
РИД
Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием
0.926
РИД
Способ создания интерфейса для интеграции монокристаллических оксидов с германием
0.919
РИД
Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда
0.908
РИД