РИД
№ 621022600060-5Программа моделирования высокотемпературного равновесия собственных точечных дефектов и паровой фазы CdTe
26.02.2021
Программа предназначена для расчетов концентрации заряженных собственных точечных дефектов в CdTe.
Программа обеспечивает выполнение следующих функций: выбор параметров модели дефектообразования; выбор температурного режима; численное решение уравнения электронейтральности в CdTe с учетом заряженных дефектов; расчет области гомогенности, концентрации собственных точечных дефектов в различных зарядовых состояниях и подвижных носителей заряда; сохранение результатов в памяти ЭВМ.
ГРНТИ
47.09.29 Полупроводниковые материалы
Ключевые слова
область гомогенности
зарядовые состояния
точечные дефекты
CdTe
Детали
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Используется для моделирования характеристик полупроводникового материала CdTe
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Заказчик
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Похожие документы
Программа для моделирования профиля диффузии Zn в гетероструктурах InGaAs/InAlAs/InP с учетом сегрегации
0.881
РИД
Программа расчета профилей энергетических зон в варизонной гетероструктуре на основе материала CdHgTe с одиночной квантовой ямой с учётом зависимости электронного сродства от координаты «AffinityMCTBandQW»
0.869
РИД
Программа моделирования зонной диаграммы в полупроводниковых структурах
0.862
РИД
Программа для расчета траектории эмитирующих электронов с поверхности танталата лития методом конечных элементов
0.859
РИД
Программа расчета спектров межзонного поглощения в гетероструктуре на основе материала CdHgTe с квантовыми ямами «InterbandMCTAbsQW»
0.858
РИД
Программа численного моделирования эффективности сбора наведенного тока в полупроводниковых структурах
0.857
РИД
Программа моделирования электрофизических характеристик и параметров быстродействия автоэмиссионного кремниевого триода планарного типа с наноразмерным каналом проводимости
0.856
РИД
Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
0.854
РИД
Компьютерная программа для расчёта и построения зонной диаграммы полупроводникового диода на основе немонокристаллического материала с линейным распределением легирующих примесей
0.854
РИД
Программный модуль для одномерного моделирования транзисторных гетероструктур на основе материалов группы А3В5
0.851
РИД