Способ получения фоточувствительных пленок Pb1-xCdxS

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно – к технологии получения тонких фоточувствительных пленок твердых растворов Pb1-xCdxS, которые используются при изготовлении изделий оптоэлектронной и сенсорной технике. Ключевая особенность данного материала – это возможность варьирования ширины запрещенной зоны, так при введении кадмия в кристаллическую решетку сульфида свинца происходит сдвиг кривой спектральной фоточувствительности материала в коротковолновую область инфракрасного спектра. Техническим результатом, на достижение которого направлено изобретение, является сдвиг спектрального диапазона фоточувствительности пленок твердых растворов Pb1-xCdxS в ближний инфракрасный диапазон и увеличение фоточувствительности. Сущность изобретения заключается в следующем: способ получения фоточувствительных пленок твердых растворов Pb1-xCdxS на подложки из водного раствора, содержащего соль свинца, соль кадмия, трехзамещенный лимоннокислый натрий, водный раствор аммиака и тиомочевину, отличающийся тем, что в процессе синтеза раствор для осаждения подвергается воздействию ультразвука частотой 40 кГц, а концентрация солей свинца и кадмия находятся в диапазонах 0,01-0,15 моль/л и 0,01-0,2 моль/л, соответственно.