СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки

23.09.2021

Изобретение относится к СВЧ плазменному реактору с объёмно-резонаторной передачей энергии в область над подложкой, центральная часть которой является СВЧ резонатором и установленный на охлаждаемой проводящей платформе подложкодержатель с неподвижным «запредельным» проводящим кольцом, управляемым по обратной связи с инфракрасным пирометром. Технический результат изобретения состоит в повышении качества и производительности процесса плазмохимического осаждения.

ГРНТИ

29.27.15 Излучение плазмы

29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела

55.22.23 Неметаллические покрытия

55.19.13 Технология механической обработки

55.19.05 Основы обработки абразивным инструментом

Ключевые слова

СВЧ плазменный реактор

температура.

косвенный нагрев

подложка

запредельное кольцо

краевой эффект

регулирование нагрева подложки

Детали

НИОКТР

№ АААА-А18-118113090083-1

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

плазмохимическое осаждение сверхтвердых алмазных покрытий на режущий инструмент для эффективной обработки новых композиционных материалов в аэрокосмической промышленности

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ ИМ. А.М. ПРОХОРОВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки

1.000

РИД

СВЧ плазменный реактор с регулированием температуры косвенного нагрева подложки

1.000

РИД

Устройство СВЧ плазменного реактора с регулированием температуры косвенного нагрева подложки

0.963

РИД