Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура и способ ее изготовления

Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно – к фотоприемным устройствам инфракрасного диапазона длин волн и технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в барьерной фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, включающей подложку (слой 1), расположенный на подложке поглощающий слой из CdxHg1-xTe с составом x = 0,22-0,4 толщиной 2-4 мкм (слой 2), расположенный на поглощающем слое барьерный слой из CdxHg1-xTe с составом x = 0,6-0,7 толщиной 0,2-0,5 мкм (слой 3), расположенный на барьерном слое контактный слой из CdxHg1-xTe с составом x = 0,22-0,4 толщиной 1-2 мкм (слой 4), на контактном слое располагается пассивирующий слой (слой 5), а металлический полевой электрод из In (слой 6) нанесен на поверхность пассивирующего слоя, причём геометрические размеры полевого электрода (слой 6) выбирают таким образом, чтобы минимальное расстояние от края полевого электрода до края площадки, ограничивающей область фоточувствительной структуры, было бы равно 1,0-1,2 мкм.