Высоковольтный латеральный нитрид-галлиевый транзистор для малоиндуктивных каскодных схем

Полезная модель относится к высоковольтным латеральным полевым транзисторам на основе нитрида галлия. Транзистор используется для изготовления нормально-закрытых силовых ключей по каскодной схеме с низкими внутренними паразитными индуктивностями. Прибор изготавливается на основе GaN/AlGaN гетероструктуры, включающей буферный слой GaN, спейсерный слой AlN, барьерный слой AlGaN. Многопальцевые контакты истока, стока и затвора расположены на поверхности барьерного слоя. Минимизация внутренних паразитных индуктивностей достигается за счёт вывода контакта затвора на обратную сторону пластины через металлизированные переходные отверстия и за счёт изготовления контактной металлизации к пальцам контакта истока, опирающейся на слой толстого диэлектрика, для вертикально монтажа кремниевого МОП-транзистора.