РИД
№ 621122100056-0Полевой транзистор с вертикальным каналом для СВЧ техники
21.12.2021
Полезная модель относится к области полупроводниковой электроники. Данное техническое решение может быть использовано в СВЧ технике для транзисторов в малошумящих усилителях. В результате использования предлагаемого устройства обеспечивается повышение быстродействия, улучшение энергоэффективности, повышение локальности воздействия электронным пучком, осуществляется возможность изменения направления протекания тока.Данный результат достигается за счёт того, что формируют транзистор, содержащий исток, сток, вертикальный канал, затвор, причём матрица каналов выполнена в виде цилиндрической формы, каналы расположены соосно, область канала – вакуумное пространство, матрица затворов чередуется с матрицей каналов.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
полевой транзистор
Вертикальный канал
бондинг
Детали
Тип РИД
Полезная модель
Сферы применения
изготовление полевых транзисторов, изготовление СВЧ усилителей
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон"; Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон"
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Способ изготовления высокочастотного транзистора с дополнительным активным полевым электродом
0.913
РИД
Гетероструктурный полевой транзистор на основе полупроводникового соединения арсенида галлия
0.903
РИД
Гетероструктурный полевой транзистор на основе полупроводникового соединения нитрида галлия
0.901
РИД
Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
0.901
РИД
Эффективная НЕМТ-технология изготовления монолитных многофункциональных интегральных схем СВЧ на полуизолирующих пластинах арсенида галлия
0.900
РИД
Способ изготовления высокоточного транзистора с невплавными омическими контактами
0.899
РИД
Высоковольтный латеральный нитрид-галлиевый транзистор для малоиндуктивных каскодных схем
0.899
РИД
Способ формирования субмикронного Т-образного затвора
0.898
РИД
Способ работы силового транзистора
0.898
РИД
Интегральная схема высокочастотного переключателя на основе вакуумных триодов с эмитирующим слоем из горизонтально расположенных углеродных нанотрубок
0.896
РИД