Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на утоняемой германиевой подложке

Способ изготовления утоненного фотоэлектрического преобразователя включает формирование гетероструктуры GalnP/Ga(ln)As/Ge на германиевой подложке с фронтальным контактным слоем n-GaAs, омических контактов на поверхности контактного слоя n-GaAs, вскрытие оптических окон и напыление просветляющего покрытия, создание мезы с защитным покрытием, формирование тыльных омических контактов к германиевой подложке в мезе, нанесение защитного покрытия, наклеивание пластины защитным покрытием на диск-носитель, утонение германиевой подложки методом жидкостного химического травления, матирование утоненной германиевой подложки методом жидкостного химического травления, пассивацию утоненной германиевой подложки путем осаждения диэлектрического покрытия, осаждение светоотражающего покрытия из золота или серебра с защитным слоем золота, удаление защитного покрытия с одновременным откреплением пластины от диска-носителя и разделением пластины на чипы. Способ обеспечивает снижение удельной массы фотоэлектрического преобразователя за счет значительного утонения германиевой подложки с сохранением спектральной чувствительности германиевого p-n перехода в инфракрасном диапазоне спектра и его фототока и эффективности фотоэлектрического преобразователя в целом.