Способ увеличения объемной электропроводности оксидного сегнетоэлектрического материала

Изобретение относится к обработке материалов и может быть использовано для увеличения объёмной электропроводности оксидных сегнетоэлектрических материалов, в частности, ниобата и танталата лития. Кристаллы этих материалов имеют широкое применение в системах точного позиционирования, сенсорах, лазерных, акустических, акустооптических и других устройствах, где используются электрооптические и пьезоэлектрические свойства этих материалов. Техническим результатом, на достижение которого направлено изобретение, является повышение эффективности увеличения объёмной электропроводности, сокращение времени восстановительного отжига и снижение требований по качеству атмосферы восстановительного отжига (остаточное давление атмосферы до 2 Па, без дополнительного контроля количества паров кислорода и воды) при отсутствии легирования материала сегнетоэлектрика. Технический результат достигается следующим образом. Способ увеличения объемной проводимости оксидного сегнетоэлектрического материала заключается в отжиге в печи пластин оксидного сегнетоэлектрического материала в бескислородной атмосфере. Отличие способа в том, что в рабочую камеру печи на расстоянии от 0,2 до 1 мм симметрично сверху и снизу от пластины оксидного сегнетоэлектрического материала помещают кремниевые пластины толщиной от 0,25 до 1 мм. При этом в качестве пластин оксидного сегнетоэлектрического материала используют пластины ниобата лития LiNbO3 или танталата лития LiTaO3. Также выдержку во время отжига производят в температурном интервале 600-1140 °C в течение 1-6 часов. Кроме того, кремниевые пластины изолируют от пластины оксидного сегнетоэлектрического материала и рабочей камеры печи с помощью сапфировых прокладок.