Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти

03.02.2022

Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти включает изготовление на подложке примыкающих друг к другу слоя, обеспечивающего формирование наноконтактов для реализации филаментарного механизма проводимости, и активного слоя, обеспечивающего филаментарный механизм проводимости. Изобретение обеспечивает снижение величины напряжения формовки вплоть до нулевого значения.

ГРНТИ

50.11.31 Полупроводниковые запоминающие устройства

Ключевые слова

резистивная память (RRAM)

плазмохимическое осаждение из газовой фазы

нанокластер кремния

оксид кремния

Детали

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Изобретение относится к технике хранения информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, к элементам памяти электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключенном питании, и может быть использовано при создании устройств памяти, например вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов, электронных карточек.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

Похожие документы

Способ получения энергонезависимого элемента памяти

0.935

РИД

Способ получения элемента энергонезависимой резистивной памяти

0.922

РИД

RU 2611580 C1 "Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта"