РИД
№ 622021000057-3Самосовмещенный сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO
10.02.2022
Полезная модель относится к области электрических устройств, а именно к электрическим конденсаторам с нелинейным диэлектриком, и может быть использована в технологии микроэлектронного полупроводникового производства широкого класса управляемых электрическим полем интегрированных сегнетоэлектрических элементов и пьезоэлектрических устройств микромеханики: сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти, разнообразных датчиков, преобразователей и пьезоэлектрических генераторов электрической энергии.
ГРНТИ
29.19.25 Взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами
29.19.39 Ферромагнетики
29.19.31 Полупроводники
Ключевые слова
конденсатор
электроды
электрические устройства
Детали
Тип РИД
Полезная модель
Сферы применения
может быть использована в технологии микроэлектронного полупроводникового производства широкого класса управляемых электрическим полем интегрированных сегнетоэлектрических элементов и пьезоэлектрических устройств микромеханики
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Пористый сегнетоэлектрический конденсатор с электродами из LaNiO3
0.940
РИД
САМОСОВМЕЩЕННЫЙ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР С ЭЛЕКТРОДАМИ ИЗ LaNiO3
0.902
РИД
Конденсаторная керамика
0.898
РИД
Создание и исследование высокоэффективных конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов различных составов для перспективных энергонезависимых запоминающих устройств
0.898
НИОКТР
Сегнетоэлектрический элемент памяти и сумматор
0.890
РИД
Исследования свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик-металл на основе сегнетоэлектрических пленок различных составов для возможности реализации высоконадежных энергонезависимых ячеек памяти
0.888
НИОКТР
Разработка и исследование электронно-перестраиваемых конденсаторных структур на основе сегнетоэлектрических материалов
0.886
НИОКТР
Сегнетоэлектрический керамический материал
0.884
РИД
Резистивные переключения в сегнетоэлектрических мемристорах на основе оксида гафния-циркония
0.881
Диссертация
Гибридные материалы с мемристивными свойствами на основе сегнетоэлектриков и аморфных кремний-углеродных плёнок
0.880
НИОКТР