РИД
№ 622030400092-2Способ формирования тонкой пленки монооксида европия на кремниевой подложке с получением эпитаксальной гетероструктуры EuO/Si
04.03.2022
В изобретении описан способ получения эпитаксиальных пленок монооксида европия на кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Синтез пленок осуществляется в условиях сверхвысокого вакуума при низких температурах пластины кремния. Приведенные в изобретении параметры роста позволяют добиться высокого кристаллического совершенства пленок с сохранением атомно-резкой границы раздела между пленкой и кремнием. Синтезированные пленки могут быть использованы при создании спиновых фильтров, инжекторов спин-поляризованного тока и других компонентов спиновой наноэлектроники.
ГРНТИ
29.19.39 Ферромагнетики
29.19.31 Полупроводники
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
Молекулярно-лучевая эпитаксия
Монооксид европия
Кремний
Ферромагнетизм
Спинтроника
Детали
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Микро- и наноэлектроника, изготовление спинового фильтра, изготовление инжектора спин-поляризованного тока, изготовление элементов памяти.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Заказчик
Правительство Российской Федерации
Похожие документы
Способ формирования эпитаксальных гетероструктур EuO/Ge
0.976
РИД
Способ создания эпитаксиальных гетероструктур EuO/Si с атомно-резким интерфейсом
0.966
РИД
Способ выращивания эпитаксиальных пленок монооксида европия на графене
0.962
РИД
Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремнии
0.948
РИД
Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием
0.939
РИД
Эпитаксиальная интеграция пленок EuO с кремнием и свойства полученных гетероструктур
0.936
Диссертация
Способ создания материалов на основе германена EuGe2 и SrGe2 с высокой подвижностью носителей заряда
0.930
РИД
Способ создания субмонослойных двумерных ферромагнитных материалов, интегрированных с кремнием
0.923
РИД
Способ создания интерфейса для интеграции монокристаллических оксидов с германием
0.920
РИД
Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда
0.914
РИД