Способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя

(57) Способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя включаюет последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений слоев n типа проводимости и p-типа проводимости, образующих не менее двух n-p или p-n диодов. Слои сопряженных друг с другом диодов разделяют посредством введения в зону сопряжения компонентов микрочастиц из проводящего или полупроводникового материала, размеры которых превышают толщину области пространственного заряда в рассматриваемой зоне сопряжения, а ширина запрещённой зоны материала микрочатиц больше ширины запрещенной зоны материала нижележащих компонентов в направлении от источника света. При этом выращивание расположенного на слое микрочастиц слоя диода осуществляют субслоями толщиной (50-150) нм с прерыванием подачи металлоорганических соединений на (10-15) секунд при постоянной подаче водорода. Способ обеспечивает повышенную эффективность фотопреобразования изготовленной полупроводниковой структуры за счет улучшения качества слоев InP на микрокристаллитах GaP. 2 з.п.