РИД
№ 622051200042-4

Способ многопозиционого плазмохимического синтеза монокристаллов алмаза

12.05.2022

Настоящий секрет производства (ноу-хау) относится к области многопозиционного синтеза алмазных монокристаллов плазмохимическим методом. В процессе синтеза монокристаллических алмазов применяется одновременно несколько алмазных подложек, которые закреплены на несущем водоохлаждаемом столике, напрмер, изготовленном из молибдена. Нагрев подложек до температуры синтеза (800-1200 °C) происходит либо непосредственно контактом с плазменным облаком, либо излучением нагревательных элементов. При этом, поскольку алмаз является материалом с самой высокой теплопроводностью, часть тепла он передает столику. Из-за различной контактной поверхности алмазных пластин со столиком доля тепла, передаваемая различными подложками, отличается и пластины нагреваются до различных температур. Для обеспечения одинаковых условий синтеза на всех подложках их температуры должны быть равны. Поэтому сторона алмазной подложки, прилегающая к поверхности несущего столика должна быть профилирована на глубину от 0,005 до 0,05 мм с обеспечением контктной поверхности пластины с поверхностью столика не более 10 % от площади поверхности пластины. Профилирование может быть обеспечено механическим, физическим, химическим, химико-металлургическим или другими методами.
ГРНТИ
61.69.37 Монокристаллы и сцинтилляторы
61.13.21 Химические процессы
Ключевые слова
СПЕКТРОСКОПИЯ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ
ИК СПЕКТРОСКОПИЯ
СИНТЕТИЧЕСКИЙ АЛМАЗ
РЕЖИМЫ ХИМИЧЕСКОЙ И ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ АЛМАЗОВ
РЕЖИМЫ СИНТЕЗА
ЛАЗЕРНЫЙ РАСКРОЙ АЛМАЗА
ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ АЛМАЗА
Детали

НИОКТР
Тип РИД
Секрет производства (ноу хау)
Сферы применения
Область использования настоящего НОУ-ХАУ лежит в области синтеза алмазных монокристаллов плазмохимическим методом. Применение метода одновременного синтеза большого количества алмазных монокристаллов позволяет использовать всю рабочую зону реактора и снизить удельные затраты на процесс синтеза и обслуживание установки. НОУ-ХАУ может быть использовано при синтезе алмазных монокристаллов в ювелирной, иснтрументальной промышленности, при изготовлении электронных изделий.
Ожидается
Заказчик
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
Заказчик
ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ"
Похожие документы
Способ группового роста монокристаллов алмаза в СВЧ плазме
0.910
РИД
Технология синтеза монокристалла алмаза методом плазмохимического осаждения CVD
0.909
НИОКТР
Способ увеличения размеров алмазов
0.908
РИД
Синтез алмазных плёнок в СВЧ плазме: влияние состава газовой смеси на вторичное зародышеобразование
0.903
НИОКТР
Разработка базовой конструкции многомагнетроной установки для высокоскоростного плазмохимического осаждения алмазных пленок на большой площади
0.902
НИОКТР
Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза
0.900
РИД
Способ получения легированного алмаза
0.898
РИД
«Методика синтеза монокристаллов с улучшенными характеристиками при равномерном распределении температуры подложек с устройством крепления подложек в вакуумной камере CVD-реактора»
0.896
РИД
Синтез монокристаллов алмаза высокого качества в микроволновой плазме при высоких давлениях для применений в электронике и фотонике
0.893
НИОКТР
Способ получения поликристаллических алмазных пленок
0.893
РИД