Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния. Техническим результатом заявляемого способа является получение легированных бором полупроводниковых пленок алмаза на поверхности кремния. При нагреве мелкодисперсного алмазного порошка, смешанного с жидким изопропилборатом, в среде вакуума и в присутствии внешнего электрического поля на поверхности подложки кремния возникает пленка алмаза с приемлемым для использования в технологии микроэлектроники удельным электросопротивлением