Стабилитрон повышенной мощности

Интегральная микросхема предназначена для использования в устройствах общего назначения в цепях постоянного тока для стабилизации напряжения на подключаемой нагрузке. Выполнена по планарноэпитаксиальной технологии и представляет собой размещённый на кремниевой подложке р-n диод, предназначенный для обратного включения, чтобы при подаче напряжения на интегральную микросхему диод работал в режиме лавинного пробоя. При этом интегральная микросхема имеет два выводных контакта, что обеспечивает унификацию по схеме подключения с другими аналогичными элементами. Интегральная микросхема выполнена по полупроводниковой технологии и построена на использовании транзисторной структуры. Катодом является коллектор, а анодом - база с эмиттером, закороченным на базу. Стабилитрон сформирован на переходе коллектор-база. Величина стабилизируемого напряжения определяется эффектом прокола базы и составляет 3,3 В. Стабилизация напряжения осуществляется за счёт устойчивого сохранения величины напряжения на р-n переходе во всём диапазоне рабочих токов. Основные технические характеристики: диапазон напряжения стабилизации Uст (Т = 20°С) от 3,2 В до 3,4 В; номинальное напряжение стабилизации Uст.ном. (Т = 20°С, Iст = 7,0 мА) 3,3 ± 3% В; номинальный ток стабилизации Iст.ном. (Т = 20°С) 1000 мА; диапазон тока стабилизации Iст(Т = 20°С) от 100 до 1500 мА; максимальное допустимое прямое напряжение Uпр (Т = 20°С, Iпр=100 мА) 1,2 В; статическое сопротивление стабилитрона в режиме пробоя rст (Т = 20°С, Iст = 100 мА) 2,5 ± 5 % Ом; температурный коэффициент напряжения стабилизации αст 2,5 мВ/°С; максимальная рассеиваемая кристаллом мощность Рmax (Т = 20°С) 5 Вт; максимально допустимый пиковый ток через стабилитрон Iмакс. (Т = 20°С, t<0,2 мс) 25 А; диапазон допустимых температур от минус 60°С до +180°С.