РИД
№ 622060600052-1

Монолитная интегральная схема затворного драйвера на основе GaN

06.06.2022

Монолитная интегральная схема представляет собой затворный драйвер для силового нормально закрытого GaN транзистора, используемого в составе полумостовых и мостовых преобразователей в составе вторичных источников электропитания. Монолитная интегральная схема выполнена на основе гетеростурктуры нитрида галлия на кремний на изоляторе (GaN-on-SOI). Принципиальная схема устройства состоит из драйвера, блока защиты от перегрева, блока защиты от низкого напряжения, а также из схем логических элементов на основе резисторно-транзисторной логики. Для исключения ложных срабатываний при переключении и удаления шума из управляющих сигналов используется схема триггера Шмитта. Верхний порог срабатывания триггера Шмитта, соответствующий логической единице, составляет 2,5 В. Схема защиты от низкого напряжения используется для отключения драйвера в случае падения напряжения на источнике питания ниже 4 В. Схема защиты от перегрева используется для отключения драйвера при разогреве кристалла выше температуры 135 °C.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
GaN монолитная интегральная схема
Затворный драйвер
Детали

НИОКТР
Тип РИД
Топология интегральных микросхем
Сферы применения
Полумостовые и мостовые схемы преобразователей напряжения в составе вторичных источников электропитания.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ИНЖИНИРИНГОВЫЙ ЦЕНТР ПО ЭЛЕКТРОНИКЕ И МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ"
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Монолитная интегральная схема полумостового драйвера на основе GaN
0.944
РИД
Интегральная схема мостового каскада на основе силовых нитрид галлиевых транзисторов
0.926
РИД
Интегральная схема полумоста с драйвером и силовыми транзисторами GaNHBIC-2022-V4.2
0.923
РИД
Интегральная схема полумостового силового каскада на основе эпитаксиальной гетероструктуры типа p-GaN/AlGaN/GaN
0.916
РИД
GaN микросхема блока усиления для силовых преобразовательных модулей
0.916
РИД
Силовой модуль на основе GaN транзисторов для высоковольтных схем преобразования мощности
0.914
РИД
Составной биполярный n-p-n транзистор для управления индуктивной нагрузкой со встроенным ограничителем базового тока
0.911
РИД
Быстродействующий драйвер управления нормально-закрытыми GaN-транзисторами
0.905
РИД
Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор нормально-закрытого типа
0.900
РИД
Базовый кристалл силовой части преобразовательного модуля
0.900
РИД