РИД
№ 622062100212-8Определение температуры осаждения перовскитной пленки на подложку с заданным фазовым составом. Определение режимов подачи газа, обеспечивающего однородное осаждения пленки. Калибровка длительности процесса для формирования заданной толщины пленки
21.06.2022
Отчет 18 с., 1 рис.
Ключевые слова: покрытия, полупроводник, перовскит, ХОГФ, диод, CVD.
Цель работы – разработка технологии химического осаждения перовскитных материалов из газовой фазы и формирования лабораторных образцов слоев с фотолюминисценцией в видимом спектральном диапазоне.
В процессе работы проводились экспериментальные исследования отдельных композиций CsBr:PbBr2, полученных методом механохимического синтеза и осаждением из газовой фазы.
В результате НИОКР были определены температуры осаждения перовскитной пленки на подложку с заданным фазовым составом; режимы подачи газа, обеспечивающего однородное осаждения пленки; проведена калибровка длительности процесса для формирования заданной толщины пленки.
ГРНТИ
29.31.23 Люминесценция
44.37.29 Гелиоэнергетические установки
44.41.35 Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
Ключевые слова
ХОГФ
диод
перовскит
полупроводник
покрытия
Детали
Тип РИД
Иное
Сферы применения
производство фотопреобразователей на основе перовскита: светодиод, фотодетектор, солнечный элемент
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
Общество с ограниченной ответственностью "ПЕРОВСКИТ"
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Этап №1"Определение оптимального мольного соотношения прекурсоров AX и BX2 для синтеза. Отладка режима синтеза перовскитных пленок методом химического осаждения из газовой фазы. Исследование лабораторных образцов перовскитных слоев методом оптической спектрофотомерии. Определение оптимального фазового состава осаждаемого слоя перовскита с наибольшей интенсивностью фотолюминесценции. Отладка системы нагрева зоны осаждения реактора для обеспечения температуры кристаллизации требуемой фазы перовскита"
0.950
ИКРБС
Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов
0.922
РИД
Исследование оптических и электронных свойств гибридных наноструктур на основе полупроводников и диэлектриков
0.917
ИКРБС
Разработка технологии гидрохимического осаждения фоточувствительных пленок твердых растворов Pb1-xSnxSe с применением компьютерного моделирования. Разработка, изготовление и испытания опытных образцов ИК-детекторов с диапазоном спектральной чувствительности 1.5-8.2 мкм."
0.917
ИКРБС
Разработка технологии химического осаждения перовскитных материалов из газовой фазы и формирования лабораторных образцов слоев с фотолюминисценцией в видимом спектральном диапазоне
0.916
НИОКТР
Нанесение тонких пленок полупроводников и металлов
0.916
НИОКТР
Разработка технологии химического осаждения перовскитных материалов из газовой фазы и формирования лабораторных образцов слоев с фотолюминисценцией в видимом спектральном диапазоне
0.916
НИОКТР
Разработка технологии химического осаждения перовскитных материалов из газовой фазы и формирования лабораторных образцов слоев с фотолюминисценцией в видимом спектральном диапазоне (заключительный)
0.914
ИКРБС
Исследование механизмов формирования, микроструктуры, электрофизических и оптических свойств дисперсных, объемных и тонкопленочных функциональных материалов оптоэлектроники и сенсорики
0.912
ИКРБС
ЛАБОРАТОРИЯ ОРГАНИЧЕСКИХ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР
0.912
ИКРБС