Способ получения порошка карбида кремния

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC – широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем, в частности, синтеза порошка карбида кремния, используемого в качестве источника при выращивании монокристаллов карбида кремния. Технический результат изобретения заключается в увеличении выхода порошка SiC. В способе получения порошка карбида кремния смешивают диоксид кремния и углерод, полученную смесь размещают в вакуумной печи, заполняют печь инертным газом и подвергают смесь термообработке в атмосфере инертного газа. Далее отжигают избыточный углерод на воздухе. Исходные компоненты смешивают в соотношении SiO2:C = 1:(3,2–4,0) (мол.), а толщина слоя исходной смеси пропорциональна квадрату среднего диаметра зерна порошка углерода и не должна превышать 15 – 18 см для среднего диаметра зерна 120 мкм, при насыпной плотности 0,6 – 0,8 г/см3. Термообработку осуществляют в две стадии, в вакуумной печи, заполненной инертным газом: вначале в течение 4–5 часов при давлении инертного газа 0,02–0,03 МПа и температуре 1600–1700 оС, затем осуществляют повторный нагрев и выдержку при температуре 1900–2000 оС в течение 1–2 часов при том же давлении