Фотоэлектрический преобразователь на основе InP

Полезная модель относится к полупроводниковой технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) на основе фосфида индия (InP), освещаемых со стороны подложки, и может быть использована для преобразования световой энергии, в частности лазерного излучения, в электрическую энергию. Фотоэлектрический преобразователь содержит подложку из InP n-типа проводимости, на которой сформированы буферный слой из InP n-типа проводимости, активная область из нелегированного InGaAs или InGaAsP, верхний слой из InP р-типа проводимости, подконтактный слой из InAsP р-типа проводимости толщиной (100-300) нм, n - контакт, нанесенный на подложку, р-контакт 6, нанесенный на подконтактный слой. Фотоэлектрический преобразователь имеет уменьшенное сопротивление контакта р-типа проводимости.