Программа для моделирования процессов формирования нанокапель In на подложках, модифицированных треугольными углублениями, с учетом влияния доли атомов Al в эпитаксиальном слое

Программа предназначена для моделирования процессов формирования наноструктур In/AlGaAs методом капельной эпитаксии на подложках, модифицированных треугольными углублениями. Реализованная в программе модель позволяет учесть различные варианты геометрических параметров массивов углублений, а также влияние доли атомов Al в поверхностном слое на процессы зарождения и роста островков. Область применения программы: капельная эпитаксия наноструктур InAs/AlGaAs. Функциональные возможности программы включают расчет поверхностной плотности и среднего размера формирующихся нанокапель, оценку степени заполнения углублений и селективности позиционирования центров нуклеации, а также установление закономерностей влияния доли атомов Al в поверхностном слое AlGaAs на процессы формирования нанокапель. Работа выполнена за счет гранта Российского научного фонда (проект №21-79-00310).