Фотоэлектрический преобразователь

Фотоэлектрический преобразователь включает подложку, A3B5 гетероструктуру с контактным слоем GaAs р-типа проводимости, фронтальный омический контакт и тыльный омический контакт. Фронтальный омический контакт содержит последовательно расположенные первый слой сплава никеля и хрома (NiCr) с содержанием в сплаве хрома (15-50) мас. % толщиной (5-25) нм, слой Ag толщиной (500-5000) нм, второй слой сплава NiCr с содержанием в сплаве хрома (15-50) мас. % толщиной (50 100) нм и слой Au толщиной (30 100) нм. Фотоэлектрический преобразователь имеет увеличенную электрическую проводимость контактных шин за счет увеличения адгезии контактных слоев и снижения омических потерь путем уменьшения переходного контактного сопротивления.