Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs

05.09.2022

Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs включает формирование слоев гетероструктуры на подложке GaAs, нанесение первого омического контакта, нанесение прозрачного покрытия, нанесение слоя металлического отражателя, формирование подложки-носителя GaAs с тыльным и фронтальным омическими контактами, монтаж подложки-носителя и гетероструктуры AlGaAs/GaAs путем формирования соединения AuIn2, удаление подложки GaAs и формирование второго омического контакта.

ГРНТИ

44.41.35 Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую

Ключевые слова

светоизлучающий диод

гетероструктура

преобразование электроэнергии

омический контакт

Детали

НИОКТР

№ АААА-А19-119020790035-3

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Изобретение относится к электронной технике, в частности, к способу изготовления светоизлучающих диодов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Способ изготовления светоизлучающего диода

0.985

РИД

Способ получения многослойных гетероэпитаксиальных структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии

0.936