Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Предложенный способ изготовления омических контактов фотопреобразователя включает напыление на полупроводниковую пластину основы тыльного омического контакта, основы фронтального омического контакта, термообработку гетероструктуры, формирование фронтального и тыльного омических контактов электрохимическим осаждением слоя серебра, при этом электрохимическое осаждение слоя серебра осуществляют при постоянном токе и перемешивании электролита одновременно на фронтальную и тыльную стороны полупроводниковой пластины, расположенной под анодом и обращенной к нему фронтальной стороной, при этом анод возвратно поступательно перемещают со скоростью 1-5 см/мин на расстояние 5-10 см относительно полупроводниковой пластины, а полупроводниковую пластину и анод вращают вокруг вертикальной оси со скоростью 2-60 об/ч с переменным направлением вращения. Технический результат заключается в снижении омических потерь путем увеличения равномерности толщины омических контактов фотопреобразователя по всей площади полупроводниковой пластины при сниженной стоимости технологического процесса.