РИД
№ 622092000103-7Излучающее в инфракрасном диапазоне спектра электролюминесцентное устройство в интегральном исполнении с кремниевой подложкой
20.09.2022
Техническое решение относится оптоэлектронике, к устройствам электрического освещения, а именно, к электролюминесцентным источникам света, излучающим в инфракрасном диапазоне. Излучающее в инфракрасном диапазоне спектра электролюминесцентное устройство в интегральном исполнении с кремниевой подложкой содержит подложку кремния, жестко связанный с подложкой светоизлучающий слой в виде слоя проводящего оксида In2O3, легированного примесью Er, средства для прикладывания электрического потенциала. Последние выполнены с возможностью приложения электрического потенциала в отношении подложки и жестко связанного с ней светоизлучающего слоя. Светоизлучающий слой выполнен магнетронным распылением-осаждением мишени с заданным составом материала светоизлучающего слоя. Для светоизлучающего слоя свойственны глубокие дефектные состояния в запрещенной зоне, характеризующиеся плотностью состояний. Этим обеспечивается канал проводимости в запрещенной зоне для дырок и понижение энергетического барьера для инжекции дырок. В свою очередь это приводит к возможности реализации биполярной инжекции и транспорта носителей заряда, образованию электрон-дырочных пар с энергией рекомбинации, соответствующей резонансному возбуждению атомов эрбия в заданное возбужденное состояние для получения излучения с требуемой длиной волны. Технический результат выражается в реализации более эффективного механизма электрической накачки посредством рекомбинации электрон-дырочных пар и резонансного возбуждения требуемого возбужденного состояния атомов эрбия, а также получении электролюминесценции в диапазоне длин волн от 1,50 до 1,56 мкм при использовании для возбуждения атомов эрбия электрической накачки по эффективному механизму рекомбинации электрон-дырочных пар с резонансным возбуждением требуемого возбужденного состояния атомов эрбия. 6 п. ф-лы, 5 ил.
ГРНТИ
29.31.23 Люминесценция
29.19.31 Полупроводники
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
Электролюминесценция
Эрбий
Er
инфракрасный
ИК
1.54 мкм
оксид индия
In2O3
кремний
Si
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Изобретение
Сферы применения
Техническое решение относится к оптоэлектронике, а именно, к электролюминесцентным источникам света, излучающим в инфракрасном диапазоне, в частности в диапазоне прозрачности оптоволоконных линий (с длиной волны 1,54 мкм), и может быть использовано в вычислительной технике для встраивания в перспективные микропроцессоры с оптической системой передачи данных по типу оптоволоконной связи взамен традиционных медных шин обмена данными как между микросхемами на плате (процессор – оперативная память или процессор – процессор в многопроцессорных вычислительных системах), так и между функциональными блоками самого процессора (блок вычислений – кэш память), а также в системах проводной оптоволоконной и беспроводной оптической связи.
Ожидается
Исполнитель
Исполнители
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "АКАДЕМ ИНФРАРЕД"
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Похожие документы
Инфракрасный светодиод
0.913
РИД
Полупроводниковый электролюминесцентный источник света
0.908
РИД
Электролюминесцентное светоизлучающее устройство.
0.900
РИД
Светолоизлучающее устройство
0.897
РИД
Разработка конструкции излучающего/фоточувствительного элемента и изготовление опытных образцов иммерсионных светодиодов/фотоприемников с длинноволновой границей электролюминесценции/фоточувствительности около 9.5 мкм.Разработка программы и методики исследования оптических и электрических характеристик светодиодов и фотоприемников с длинноволновой границей до 11.5
мкм.Исследование оптических и электрических характеристик иммерсионных светодиодов/фотоприемников с длинноволновой границей около 9.5 мкм и проведение их деградационных испытаний.Разработка и изготовление усилителя и детектирующего модуля на основе длинноволнового фотоприемника.Исследование распределения химических элементов в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 9.5 мкм.Исследование распределения дислокаций в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 9.5
мкм.Исследование распределения состава в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 9.5 мкм.Исследование свойств гетеропереходов в гетероструктурах с длинноволновой границей электролюминесценции около 9.5 мкм.
0.896
ИКРБС
Разработка и испытания опытного образца светодиода на длину волны 1.54 мкм.
0.896
ИКРБС
Гибридный фотодетектор среднего ИК диапазона на основе ближнепольной связи локализованных фононных-поляритонов с электронной подсистемой полупроводниковых GaAs/AlGaAs квантовых ям
0.892
РИД
Электролюминесцентное светоизлучающее устройство
0.890
РИД
Наногетероструктурные излучатели и фотоприемники ближнего ИК диапазона
0.890
НИОКТР
Оптическая схема для квантовго приемника на базе интегральной оптики
0.890
РИД