УПРАВЛЯЕМАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБМЕННЫХ СПИНОВЫХ ВОЛНАХ

Проблема, на решение которой направлено изобретение, заключается в создании управляемой линии задержки на сверхкоротких обменных спиновых волнах. Техническим результатом изобретения является уменьшение габаритов линии задержки при одновременном уменьшение потерь полезного сигнала на преобразование типов волн. Указанный технический результат достигается тем, что управляемая линия задержки наспиновых волнах, содержащая эпитаксиальную ферритовую пленку железо-иттриевого граната ЖИГ, расположенную на немагнитном слое галлий-гадолиниевого граната ГГГ, входной и выходной преобразователи СВЧ сигнала и регулируемый током источник намагничивающего поля, согласно изобретению, дополнительно содержит второй немагнитный слой галлий-гадолиниевого граната ГГГ, расположенный на поверхности пленки железо-иттриевого граната с противоположной стороны от первого, образуя трёхслойную структуру ГГГ-ЖИГ-ГГГ, и также содержит две диэлектрических подложки, наодной из которых расположен входной преобразователь СВЧ сигнала, а на второй – выходной преобразователь, преобразователи выполнены микрополосковыми и расположены в одной плоскости так, что их продольные оси совпадают, структура ГГГ-ЖИГ-ГГГ установлена в зазоре, образованном диэлектрическими подложками и преобразователями так, что торцевые поверхности немагнитных слоёв галлий-гадолиниевого граната примыкают к торцам диэлектрических подложек и к торцам преобразователей, диэлектрические подложки на противоположных преобразователям сторонах металлизированы, намагничивающее поле ориентировано по нормали к поверхности пленки ЖИГ.