Способ получения полупроводниковых тонкопленочных фотопреобразователей на основе галогенидных перовскитов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых тонкопленочных гибридных фотопреобразователей и может быть использовано при создании солнечных элементов и батареи на основе галогенидных перовскитов, а также фотодетекторов и иных типов фотопреобразователей, имеющих в структуре композитный буферный слой с максенами. Использование дисперсии максенов в растворе НОП позволяет повысить стабильность значений макс. мощности перовскитного солнечного элемента при постоянном фотонасыщении и нагреве до 65 ˚С от величин порядка 450 часов до более 2500 часов с учетом относительного снижения начального КПД до 80 % от начальных.