Способ получения порошка карбида кремния

) Изобретение относится к технологии получения монокристаллического карбида кремния (SiC) — широкозонного полупроводникового материала, используемого в силовой электронике и для создания на его основе интегральных микросхем. Технический результат изобретения заключается в повышении чистоты синтезируемого порошка карбида кремния нужного гранулометрического состава при снижении затрат на проведение способа. Технический результат достигается за счет отсутствия механохимических вспомогательных операций, приводящих к потере чистоты и к удорожанию способа.