Способ создания антиотражающих покрытий из частиц германия в виде упорядоченных субмикронных дисков на поверхности КНИ подложек

Разработан способ получения на КНИ (кремний на изоляторе) подложках упорядоченных частиц Ge (германия) субмикронного размера дискообразной формы, не требующий проведения травления. Исследования показали, что данным способом возможно получение покрытия из упорядоченных частиц Ge в форме дисков на КНИ-подложках с минимальным расстоянием между дисками 40 нм и высотой до 220 нм при толщине резиста около 180 нм, которое можно воспроизводимо изготавливать по разрабатываемой технологии. Показано, что изготовленные покрытия, состоящие из решёток дисков германия на подложке КНИ, обладают широкополосными антиотражающими свойствами, которые усиливаются у решёток с меньшей величиной зазора между дисками. Данным способом возможно создание таких покрытий, на подложках не совместимых с полупроводниковыми технологиями травления, например, из органических полупроводниковых материалов, которые могут быть использованы в различных оптоэлектронных преобразователях. Разработка выполнена при использовании оборудования ЦКП «ВТАН» НГУ, поддержанном грантом МНВО РФ №075-15-2021-697.