Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность частиц катализатора из двухкомпонентного сплава металл-кремний эвтектического состава с последующим помещением в ростовую печь, нагревом, подачей в газовую фазу водорода и тетрахлорида кремния, осаждением кремния из газовой фазы по схеме пар → жидкая капля → кристалл при температуре, минимально превышающей температуру эвтектики. При этом дополнительно в газовую фазу подают инертный газ, устанавливают постоянное значение соотношения молярных объемов инертного газа и водорода n, где n≥0,01. Катализатор выбирают из золота, платины, палладия и серебра. Обеспечивается получение нитевидных кристаллов кремния постоянного диаметра. 1 ил., 6 пр.