Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод

12.01.2023

Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод включает подложку-носитель с металлическим отражателем, слой отражателя на основе широкозонного слоя Al0.9Ga0.1As, брегговский отражатель, многослойную светоизлучающую AlGaAs/GaAs гетероструктуру, верхний электрод на поверхности гетероструктуры, световыводящую поверхность гетероструктуры и нижний электрод на тыльной поверхности подложки-носителя. Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий обладает сниженными оптическими потерями.

ГРНТИ

44.41.35 Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую

Ключевые слова

светоизлучающий диод

гетероструктура

полупроводник

брегговский отражатель

Детали

НИОКТР

№ АААА-А19-119020790035-3

Тип РИД

Изобретение

Сферы применения

Изобретение относится к электронной технике, в частности, к полупроводниковым приборам и может быть использовано при разработке и изготовлении светоизлучающих диодов и различных устройств на их основе.

Ожидается

Исполнитель

Исполнители

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК

Заказчик

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Похожие документы

Гетероструктура полупроводникового лазера

0.926

РИД

Инфракрасный светодиод

0.919