Фотоэлектрический преобразователь узкополосного излучения

Фотоэлектрический преобразователь узкополосного излучения включает фронтальный широкозонный слой из р-AlGaAs, фотоактивный слой из n-GaAs, три дополнительных нелегированных слоя из n AlxGa1-хAs, в которых процентное содержание (x1) AlAs в прилегающем к фотоактивному слою р-GaAs первом дополнительном слое (3), плавно увеличивающимся от нуля до х1 = (25-40) %, содержание (х2) AlAs во втором дополнительном слое установлено равным (25-40) %, а в третьем дополнительном слое содержание х3 AlAs установлено плавно уменьшающимся от х3 = х2 до нуля вблизи фотоактивного слоя из n-GaAs. Фотоэлектрический преобразователь также включает Брегговский отражатель, который содержит (15 25) пар чередующихся слоев соответственно из Al(х4)Ga(1-х4)As и из Al(х5)Ga(1 х5)As и подложку из n GaAs. Содержание AlAs в слоях установлено равным х4=(85-95) % в слое 8 и х5=(7-13) % в слое, а толщины W слоев Брегговского отражателя приняты равными W = (λизл + ψ)/4n, при значении ψ, установленном равным ширине спектральной полосы отражения Брегговского отражателя, где n – значения показателей преломления слоев Брегговского отражателя на длине волны λизл максимума преобразуемого узкополосного излучения.