Стабилизатор напряжения полупроводниковый для подключения индуктивной нагрузки

Микросхема предназначена для использования в устройствах общего назначения в цепях постоянного тока для ограничения напряжения на подключаемой нагрузке. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии и представляет собой семь р-n диодов, выполненных на основе перехода БК-Э (база-эмиттер с коллектором, закороченным на базу), соединённых последовательно таким образом, чтобы при подаче напряжения на микросхему каждый из диодов работал в режиме прямого включения. Также в интегральной микросхеме выполнен один р-n диод, в нормальном режиме работающий в режиме обратного включения. Микросхема имеет два выводных контакта. Величина стабилизируемого напряжения определяется сложением напряжений на переходах, находящемся в режиме прямого включения (величиной 0,7 - 0,75 В) и составляет 5,0 В, что создаёт возможность для использования интегральной схемы в схема устройств ТТЛ-логики. Стабилизация напряжения осуществляется за счёт устойчивого сохранения величины напряжения на открытых р-n переходах во всём диапазоне рабочих токов. Работа интегральной схемы при подключении индуктивной нагрузки обеспечивается наличием обратного диода, через который происходит разряд энергии индуктивной нагрузки при прекращении подачи напряжения. Технические характеристики: диапазон напряжения стабилизации Uст. (Т = 20°С) от 4,5 В до 5,5 В; номинальное напряжение стабилизации Uст.ном(Т = 20°С, Iст. = 20,0 мА) 5,0 ± 2 % В; номинальный ток стабилизации Iст.ном. (T = 20°С) 20,0 мА; диапазон тока стабилизации Iст. (Т = 20°С) от 2,0 до 50,0 мА; статическое сопротивление стабилизатора в режиме пробоя rст. (Т = 20°С, Iст. = 50,0 мА) 4,5 ± 5 % Ом; температурный коэффициент напряжения стабилизации αст. - 2 мВ/°С; максимальная рассеиваемая кристаллом мощность Рmах (Т = 20°С) 1000 Вт; максимально допустимый пиковый ток через стабилитрон (Т = 20°С, t ≤ 0,1 мс) 500 мА; диапазон допустимых температур от минус 50°С до 150°С.