Способ получения порошка карбида кремния политипа 4H

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC – широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем, в частности, синтеза порошка карбида кремния, используемого в качестве источника при выращивании монокристаллов карбида кремния. В способе получения порошка карбида кремния, включающем размещение смеси порошков углерода и диоксида кремния в вакуумной печи, их термообработку в атмосфере инертного газа с целью синтеза порошка карбида кремния, с последующим отжигом избыточного углерода на воздухе, соотношение исходных компонентов в смеси составляет C:SiO2 ≥ 3,2 (мол.), а термообработку осуществляют в две стадии. После первой стадии, которая осуществляется в течение 4-5 часов при температуре 1600–1700 оС и давлении аргона 0,02–0,03 МПа, вакуумную печь охлаждают и разгерметизируют, а синтезированный порошок карбида кремния извлекают и смешивают с порошком оксида алюминия в соотношении SiC:Al2O3 = 10-20 (мол.). Полученную смесь загружают в вакуумную печь, после чего проводят вторую стадию термообработки в течение 1-20 часов при температуре 1900–2000 оС и давлении 0,02–0,05 МПа. Способ позволяет обеспечить технический результат, заключающийся в повышении политипной однородности порошка карбида кремния 4H-политипа до 100%, при снижении затрат на его проведение.