Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb включает последовательное осаждение на подложку n-GaSb слоев n-GaInAsSb, p-GaInAsSb и p-GaSb в изотермическом режиме жидкофазной эпитаксией с толщинами слоев, соответственно, 1-5 мкм, 0,5-1,5 мкм и ≤0.5 мкм, с уровнем их легирования соответственно n=(4 9)∙1017 ат/см3, p=(1-5)∙1018 ат/см3 и p=(5∙1018-1∙1019) ат/см3. Ширина запрещенной зоны и составы твердых растворов GaInAsSb определяются назначением структуры, типом инфракрасного излучения (теплового, лазерного или солнечного) и его длиной волны. Способ более прост в осуществлении и обеспечивает высокую спектральную чувствительность изготовленного фотоэлектрического преобразователя в диапазоне длин волн λ=0,8 2,2 нм.