Фотоэлектрический преобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использовано для создания фотоэлектрических преобразователей лазерного и светодиодного излучения. Фотоэлектрический преобразователь выполнен на основе полупроводниковой гетероструктуры, включающий фронтальный широкозонный слой полупроводника, узкозонный фотоактивный с p-n переходом слой, тыльный широкозонный слой, на тыльной поверхности которого выполнено диэлектрическое зеркальное покрытие, отражающее лучи, падающие на него под углами, превышающими угол полного отражения от границы широкозонного слоя с диэлектрическим слоем, выполненным из материала с минимальным коэффициентом преломления. Диэлектрическое покрытие выполнено ситообразным с расстоянием между круглыми отверстиями, в 10-20 раз превышающим диаметр отверстий, заполненных слоями омических контактов к упомянутому тыльному широкозонному слою с толщиной контактных слоев, установленной равной толщине диэлектрического покрытия, на поверхности которого нанесены слои металлического зеркала. Изобретение обеспечивает увеличение КПД фотоэлектрического преобразования излучения.