Способ получения фотопреобразователей на основе галогенидных перовскитов с применением самоорганизующихся материалов

Изобретение относится к технологии тонкопленочных полупроводниковых фотоприемников (солнечных элементов, фотодиодов, детекторов) на основе гибридных металлоорганических перовскитов, имеющих в структуре самоорганизующийся монослой органического материала на интерфейсах между электродами и фотоактивным слоем, обеспечивающий упрощение архитектуры прибора. В ходе выполнения проекта проводились исследования и разработки по созданию перовскитных солнечных элементов без зарядо-транспортных слоев p- и n- типа. Для упрощенной приборной структуры, состоящей их анода, поглощающего слоя на основе галоенидных перовскитов и анода применяются самоорганизующиеся органические материалы (СОМ). В качестве СОМ используется [2-(9Н-карбазол-9-ил)этил]фосфоновая кислота чи-стоты 98.0 % от компании TCI (Япония). Использование СОМ обеспечивает выравнивание положение энергетических уровней между работой выхода электрода и квази-уровнем Ферми для дырок и электронов соответственно. Для фотопреобразователя с применением СОМ на интерфейсах было зафиксировано значение напряжение холостого хода – 0,73 В, плотность тока короткого замыкания 20,6 мА/см2, КПД 7,69 %, что подтверждает эффективность применение моно слоёв СОМ. В то время устройства без монослоя имеют низкие значения напряжения холостого хода (0,02 В), плотности фототока (2,58 мА/см2) и КПД (0,013 %), что говорит о преобладающем вкладе безызлучательной рекомбинации на интерфейсов фотопреобразователя с низкой эффективностью сбора фотоносителей.