Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда

В изобретении приводится описание способа создания сверхтонких структур графена с атомами европия на поверхности кремния Si(001) посредством метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Отличительной особенностью данных структур является устойчивость к деградации (окислению), что упрощает использование таковых в технологических процессах. Интеграция с магнитными атомами приводит к спиновой поляризации носителей заряда в графене, что позволяет использовать полученные структуры при создании ультракомпактных устройств спиновой электроники.