Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb включает осаждение на подложке n-GaSb в изотермическом режиме жидкофазной эпитаксии слоев n-GaInAsSb и p-GaSb с толщинами, соответственно, (2-5) мкм и не более 0.5 мкм. Формирование эмиттерного слоя p-GaxIn1-xAsySb1-y с концентрацией акцепторной примеси (1-5)х10^19 ат/см3 и толщиной (0,20-0,35) мкм осуществляют локальной диффузией цинка из газовой фазы через защитную диэлектрическую маску по периметру фотоэлектрического преобразователя с одновременным легированием широкозонного окна GaSb до концентрации акцепторной примеси (1∙10^19-3.10^20) ат/см3, а также постростовое уменьшение толщины широкозонного окна до (0,1-0,2) мкм на фоточувствительной поверхности селективным анодным окислением через маску из фоторезиста при сохранении толщины подконтактных областей. Состав GaxIn1-xAsySb1-y, охватывающий диапазон 0,8-0,99, у=0,18-0,01, задается длиной волны падающего инфракрасного излучения (теплового, лазерного или солнечного). Способ позволяет улучшить рабочие характеристики фотоэлектрического преобразователя и снизить уровень утечек.