Источник одиночных фотонов на основе двумерного полупроводника, интегрированный с нанофотонным резонатором

Полезная модель относится к области квантовой оптики и может быть использована для контролируемой генерации одиночных фотонов в свободное пространство путем возбуждения излучателя внешней лазерной накачкой. Структура состоит из осесимметричного резонатора, вблизи которого расположен локально деформированный монослой квазидвумерного полупроводникового материала, в котором из-за деформации монослоя формируются квантовые излучатели одиночных фотонов. Резонатор представляет массив концентрических золотых колец различного радиуса, поддерживающий поверхностные плазмонные резонансы. Технический результат достигается путём контроля диаграммы направленности излучения квантового излучателя в дальнее поле, и усиления эффективности излучения за счет эффекта Парселла, возникающего из-за ближнепольной связи квантового источника, генерирующего одиночные фотоны, с резонансной структурой.