РИД
№ 623112900214-5Программа для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорных сегнетоэлектриках
29.11.2023
Программа предназначена для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорном сегнетоэлектрике вблизи температуры замерзания с учётом полей, создаваемых связанными зарядами на межфазной границе неполярных включений. Расчёт пространственного распределения поля производится методом конечных элементов, после чего вычисляется доля объема, в которой локальное поле превышает пороговое значение. Интегрирование переключаемых зарядов используется для построения петли гистерезиса. Задаваемые параметры: период и размер неполярных включений, диэлектрическая проницаемость, спонтанная поляризация, шаг изменения поля. Программа может быть использована для изучения релаксорных сегнетоэлектриков. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег.№ 2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).
ГРНТИ
29.19.35 Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики
Ключевые слова
сегнетоэлектрики
релаксоры
петли гистерезиса
переключение поляризации
межфазные границы
Детали
НИОКТР
Тип РИД
Программа для ЭВМ
Сферы применения
Программа может быть использована для изучения релаксорных сегнетоэлектриков.
Ожидается
Заказчик и Исполнитель совместно
Исполнители
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Похожие документы
Программа расчёта характеристик переключения поляризации сегнетоэлектриков в концепции дробно-дифференциального термодинамического подхода
0.913
РИД
Программа для расчёта эволюции пространственного распределения пироэлектрического поля в пластине сегнетоэлектрика при воздействии импульсного лазерного излучения
0.908
РИД
Программа для моделирования роста дендритных структур в процессе фазового перехода первого рода методом фазового поля
0.902
РИД
Программа для моделирования движения заряженной доменной стенки в объёме одноосного сегнетоэлектрика
0.902
РИД
Программа для вычисления поверхностной плотности заряда в диэлектрике по заданному распределению поверхностного потенциала
0.897
РИД
Программа для прогнозирования частотных зависимостей диэлектрических спектров и электропроводности сегнетопьезоматериалов в зависимости от температуры и энергии активации с учетом модели Гаврильяка-Негами
0.895
РИД
Программа для расчёта концентрации доменных стенок в СМПО изображениях
0.893
РИД
Программа моделирования характеристик фазового перехода одноосных сегнетоэлектриков в концепции модели Изинга
0.891
РИД
Программа для создания кинетической карты эволюции доменной структуры сегнетоэлектрика при переключении поляризации
0.888
РИД
Расчет термоиндуцированного электрического поля в сегнетоэлектрике
0.888
РИД